Based on Bohr Sommerfeld quantized condition,the transcendental equation that the energy level E of 2DEG in silicon MOS surface region with parabolic well satisfied is founded,and then the analytic expression for energy level is obtained.

 
  • 從玻爾 -索末菲量子化條件出發(fā) ,以?huà)佄锞€(xiàn)勢阱為模型 ,建立了硅 MOS結構表面反型層中二維電子氣能級 E滿(mǎn)足的超越方程 ,并從該方程得到了能級 E的解析表達式。
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