A new method of designing and implementing high-capacity FIFO(First In First Out) memory by CPLD based on SRAM(HY64UD16322A) and DRAM(HY57V281620E)is introduced.

 
  • 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UD16322A和DRAM HY57V281620E,介紹了采用兩種不同的RAM結構,通過(guò)CPLD來(lái)設計并實(shí)現大容量FIFO的方法。
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