A new 125mm UHV/CVD SiGe/Si epitaxy equipment SGE500 capable of commercialization is constructed and device-level SiGe HBT material is grown.

　
英 美
  • 研制成功了可商業(yè)化的 75mm單片超高真空化學(xué)氣相淀積鍺硅外延設備SGE50 0 ；并生長(cháng)了器件級SiGeHBT材料 .
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