利用次臨界伏安特性測定由于氧化空穴和界面性能產(chǎn)生的電離輻射感生金屬氧化物半導體場(chǎng)應晶體管臨界電壓偏移分量的試驗方法

　
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利用次臨界伏安特性測定由于氧化空穴和界面性能產(chǎn)生的電離輻射感生金屬氧化物半導體場(chǎng)應晶體管臨界電壓偏移分量的試驗方法的英文翻譯

基本釋義

利用次臨界伏安特性測定由于氧化空穴和界面性能產(chǎn)生的電離輻射感生金屬氧化物半導體場(chǎng)應晶體管臨界電壓偏移分量的試驗方法的相關(guān)資料：

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